据韩媒ZDNet Korea报道，美光（Micron）近日宣布已向多家重要客户交付第六代高带宽存储器（HBM4）样品。这款12层、容量达36GB的存储器，专为人工智能（AI）领域设计，标志着美光在HBM商用化进程中迈出了重要一步。

美光表示，基于其最先进的DRAM制程和成熟的封装技术，HBM4不仅在性能上领先，还显著提升了电源效率。其数据传输通道I/O数量达到2,048个，是前一代产品的两倍。此外，HBM4的存储器速度超过2.0TB/s，性能较前一代提升60%以上，电源效率也提高了20%以上。

目前，HBM技术已发展至第五代HBM3E，而HBM4预计将在2025年下半年进入量产阶段。美光此次交付样品，紧随SK海力士的步伐。SK海力士于2025年3月率先向NVIDIA供应HBM4样品，而三星电子则计划采用更先进的1c DRAM技术开发HBM4，目标同样是在2025年下半年完成。

值得一提的是，近期有韩媒援引爆料者消息称，NVIDIA已委托三星、SK海力士和美光开发SoCEM存储器模块。令人意外的是，美光成为首家获得量产批准的厂商，这一“逆袭”引发韩国业界高度关注。