据《科创板日报》报道，英诺赛科正通过产能扩张、技术创新和战略合作，巩固其在全球氮化镓市场的地位。公司计划在未来五年内将8英寸晶圆月产能从目前的13000片提升至70000片，并推出新一代产品平台，重点布局新能源汽车、AI服务器等高增长领域。

公司高层认为，尽管12英寸晶圆理论上具备更高的芯片产出，但其大规模商业化仍面临设备成熟度不足等挑战，预计2030年前难以实现广泛应用。在此期间，英诺赛科将专注于8英寸平台的规模效应和成本优势，以满足市场对高性能氮化镓器件的需求。

英诺赛科近期发布了基于700V SolidGaN平台的四款新品：ISG6123TA/TP、ISG6124TA/TP。这些产品采用主流大功率封装，支持10–24V宽栅压驱动，兼容SiC/IGBT控制器，并集成了LDO栅极钳位功能，显著提升了兼容性和性能表现。

性能方面，新品具备100V/ns dv/dt保护、零反向恢复电荷（Qrr=0）以及超低热阻（最低0.46℃/W），开关损耗降低40%。在1–6kW服务器、空调和工业电源等应用中，这些器件可提升效率1–2%，功率密度提高50%。

此外，英诺赛科在车规级高压双向导通GaN器件和AI服务器低压高频平台领域也取得突破。公司车规芯片已完成送样并获得客户积极反馈，未来有望应用于新能源汽车OBC、DC-DC及激光雷达电源等场景。