英诺赛科（Innoscience）近日发布了两款基于100V双散热En-FCLGA封装的新产品：INN100EA050DAD和INN100EA070DAD。这两款产品专为太阳能微型逆变器、储能系统（ESS，直流输入）以及最大功率点跟踪（MPPT）优化器设计，可显著提升系统效率。

据英诺赛科介绍，这两款新品采用了与此前发布的INN100EA035A相同的封装技术（双散热En-FCLGA 3.3X3.3）。该封装技术是业界首款可点对点（P2P）替代硅场效应晶体管（SFET）的方案，能够在36V至80V的输入条件下，将系统功率损耗降低50%以上。其先进的Dual-Cool En-FCLGA封装相比传统单散热封装，导热率提升了65%，从而大幅改善系统热性能，降低工作温度，同时提高功率密度和效率。

新产品具备多项技术亮点，包括100V增强型（E-mode）氮化镓技术、极低的栅极电荷和导通电阻，以及支持双面散热的紧凑设计。这些特性使其在有限空间的应用场景中表现出色，同时显著降低能量损耗并提升系统可靠性。

在应用层面，该系列产品对PCB布局非常友好，采用垂直电路路径设计，能够有效减少寄生电阻。据测试，在36V至80V输入条件下，系统效率可超过95.5%。此外，产品还特别适用于光伏优化器MPPT应用，能够全面提高效率并降低系统损耗。

目前，英诺赛科Topside cooling En-FCLGA 3.3X3.3封装系列的三款产品（INN100EA035A、INN100EA050DAD和INN100EA070DAD）均已实现量产并完成批量订单交付。此外，英诺赛科还计划推出基于En-FCLGA 5X6封装的100V P2P Drain down MOS产品组合，电阻范围覆盖1.8~5mohm，进一步丰富产品线。