据日刊工业新闻（Nikkan Kogyo）报道，铠侠（Kioxia）已在最新第8代NAND Flash产品中引入CBA（CMOS directly Bonded to Array）晶圆键合技术。与此同时，长江存储也通过类似技术Xtacking实现了NAND量产。这一技术革新标志着NAND Flash研发竞争从堆叠层数转向新领域。

铠侠控股副社长太田裕雄表示，铠侠在CBA技术上已领先竞争对手两代。该技术基于铜直接键合工艺，显著提升了NAND Flash的性能、功耗、面积和成本表现，即PPAC指标。相比传统的CUA（CMOS under Array）技术，CBA可针对存储单元和逻辑电路分别采用最佳制造工艺，再通过键合结合，从而提升可靠性和效能。

晶圆键合技术解决了传统NAND芯片制造中的热处理限制问题。由于存储单元和逻辑电路对热处理的耐受性不同，传统工艺难以兼顾两者。而CBA技术通过分开制造并键合，不仅缩小了芯片面积，还提高了数据传输速度。

长江存储的Xtacking技术同样展现了显著优势。一位熟悉长江存储的半导体设备制造商高层透露，长江存储早期便聚焦晶圆键合技术研发。尽管分开制造存储单元和逻辑电路会增加晶圆数量，但其在效能方面的提升弥补了成本劣势。

此外，长江存储已与三星电子就晶圆键合技术达成授权协议，与铠侠共同推动这一技术的发展。制造商可通过晶圆键合技术在不显著增加堆叠层数的情况下，提升逻辑电路和整体效能，从而实现投资与性能的平衡。