近日，据国家知识产权局公开信息显示，铠侠股份有限公司申请了一项名为“半导体存储装置”的专利，公开号为CN120187021A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，该发明提供了一种易于制造且性能稳定的半导体存储装置。其核心结构包括多个导电层、半导体柱、栅极绝缘膜以及优化设计的第一绝缘部件。这些组件协同作用，确保装置在高性能运行的同时，具备可靠的制造工艺。

多层导电结构提升存储性能

专利中提到的多层导电结构是技术亮点之一。多个第一导电层在堆叠方向上层层叠加，并贯穿半导体柱区域及两个阶面区域，沿第一方向延伸。此外，第二导电层和第三导电层分别设置在第一阶面和第二阶面区域，进一步提升了存储密度和数据读写稳定性。

优化绝缘部件设计减少干扰

为提升设备性能，专利还引入了优化的第一绝缘部件，包含第一绝缘部和第二绝缘部。前者使第一阶面区域沿第一方向延伸，后者则覆盖第二阶面区域。值得注意的是，第二绝缘部在第二方向上的宽度小于第一绝缘部，这种设计有效减少了信号干扰，提高了整体效率。

栅极绝缘膜保障数据可靠性

栅极绝缘膜是该专利的另一关键部分，位于导电层与半导体柱之间，并包含电荷累积膜。这种设计能够有效防止数据丢失，确保数据传输的可靠性，特别适用于数据中心、服务器等需要长时间稳定运行的场景。

随着市场对高性能存储解决方案需求的增加，铠侠通过这一专利展示了其在技术革新方面的实力。未来，该技术的应用有望带来更高效的闪存解决方案，为智能手机、笔记本电脑等智能设备提供性能支持，同时也为数据中心和服务器等大规模数据处理场景提供新选择。