据媒体报道，台积电研究发展副总经理暨卓越科技院士余振华于2025年7月8日正式退休。余振华是台积电“研发六骑士”之一，对先进封装、晶圆级系统整合等领域贡献巨大。

余振华1955年出生于基隆，1977年毕业于中国台湾地区清华大学物理系，1987年获得美国格鲁吉亚理工学院材料工程博士学位。毕业后，他进入美国AT&T贝尔实验室，参与单芯片电浆辅助薄膜蒸镀与低功率元件等制程技术研发，开启其半导体研究生涯。

1994年，余振华返台加入台积电研发部门，负责关键制程模块开发。1997年，他推动铜导线制程，建立全台首座铜制程实验室，自主研发出0.18微米先进铜制程，成功实现150纳米到130纳米制程转换，确立了铜导线取代铝的业界趋势。多年来，他在IC后段制程技术与材料创新方面累积了超过190项美国专利和173项中国台湾专利，涵盖低介电材料、封装整合技术与先进制程等关键领域。

余振华不仅在技术研发上贡献突出，还推动了中国台湾产业链整合。他力推的3D芯片整合与矽穿孔（TSV）技术带动了上下游厂商投入3D芯片设备研发，进一步强化了中国台湾先进封装产业聚落。

台积电“研发六骑士”还包括蒋尚义、林本坚、孙元成、梁孟松与杨光磊，各自负责不同关键技术领域。其中，梁孟松的争议最大。据媒体报道，梁孟松在2011年加入三星后，帮助三星在14纳米制程上超越台积电，引发泄密诉讼。此后，梁孟松又加入中芯国际，快速提升其实力。

蒋尚义目前担任富士康半导体策略长、董事，曾在台积电担任研发资深副总、执行副总与共同营运长，为台积电在封装与高效运算（HPC）领域的发展奠定基础。林本坚则被誉为浸润式微影之父，退休后在中国台湾地区清华大学任教。