据英飞凌科技官方消息，随着氮化镓（GaN）半导体需求的持续增长，英飞凌正通过扩大生产能力，进一步巩固其作为氮化镓市场领先垂直整合制造商（IDM）的地位。

英飞凌近期宣布，其在300mm晶圆（12英寸晶圆）上的可扩展GaN生产已步入正轨。预计首批样品将于2025年第四季度交付客户，此举将帮助英飞凌扩大客户群体，并提升其在全球氮化镓市场的竞争力。

作为功率系统领域的领导者，英飞凌已全面掌握硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）三种关键材料的技术。氮化镓半导体以其高功率密度、快速开关速度和低功耗特性，能够显著优化电子设备的设计，减少智能手机充电器、工业机器人、人形机器人以及太阳能逆变器等设备的能耗和热量产生。

英飞凌氮化镓业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“通过扩大300mm GaN生产规模，我们将为客户提供更高价值的产品，并推动硅与氮化镓产品的成本持平。在宣布突破300mm GaN晶圆技术近一年后，我们的过渡进程进展顺利，业界也充分认可了英飞凌技术在IDM战略下的重要性。”

英飞凌是全球首家在现有大批量生产基础设施内成功开发300mm GaN功率晶圆技术的半导体制造商。与200mm晶圆相比，300mm晶圆的芯片生产效率提升了2.3倍，技术更加先进且更具成本效益。凭借强大的专家团队和广泛的知识产权组合，英飞凌能够满足工业、汽车、消费电子、计算和通信等领域对GaN功率半导体快速增长的需求，包括AI系统电源、太阳能逆变器、充电器及电机控制系统等。

市场研究机构Yole的分析师预测，到2030年，GaN在功率应用领域的市场规模将以每年36%的速度增长，达到约25亿美元。英飞凌凭借其领先的生产能力和多样化的产品组合，去年发布了40多款新型GaN产品，已成为客户寻求高质量GaN解决方案的首选合作伙伴。