据Tom's Hardware报道，全球知名半导体企业美光（Micron）近日宣布了其在美国的最新投资计划。根据规划，美光将在未来20年内投入总计2000亿美元，其中1500亿美元用于半导体制造设施的建设，另外500亿美元用于研发。这一计划预计将直接或间接创造9万个就业机会。

美光的1500亿美元制造投资将涵盖多个重要项目。其中，在爱达荷州，美光将建设两座先进DRAM晶圆厂（ID1和ID2），并计划在纽约建设4座晶圆厂。此外，美光还将在弗吉尼亚州打造一座高带宽存储器（HBM）先进封装厂，目标是未来10年内实现40%的DRAM产品在美国本土生产。ID1厂预计在2025年6月完成关键施工目标，2027年下半年开始晶圆生产；ID2厂则有望早于纽约厂投产，但具体时间尚未公布。

在研发方面，美光计划投入500亿美元，但具体细节尚不明确。目前尚不清楚这笔资金是现有年度研发预算的延续，还是额外追加。以美光2024年约34.3亿美元的研发支出计算，500亿美元相当于约14年的总预算。尽管美光在中国台湾、日本和新加坡均设有研发据点，但其强调这笔资金将用于增强美国在高效能运算（HPC）和国家安全领域的半导体技术实力。

值得注意的是，美光目前并未计划将NAND闪存生产线迁回美国。尽管其正在积极开发结合DRAM性能与NAND非挥发特性的存储级存储器（SCM）技术，并计划在美国生产，但短期内，NAND闪存的主要产能仍集中在中国台湾、日本和新加坡等地。这意味着，即便美光完成其在美国的扩产计划，其整体产能重心仍可能位于美国以外地区。