据Tom's hardware报道，7月1日，美国存储芯片巨头美光（Micron）详细披露了此前宣布的2000亿美元投资计划。

美光计划将1500亿美元用于存储芯片制造，其中包括在爱达荷州博伊西建造第二座领先的内存工厂（Fab ID2），扩建并现代化位于弗吉尼亚州马纳萨斯的现有工厂，以及在纽约建设多达四座大规模晶圆厂。此外，美光还计划投资500亿美元用于提升美国本土存储芯片技术研发能力，进一步巩固其全球内存技术领导者的地位。这些投资将助力美光实现其在美国生产40% DRAM的目标，同时满足未来市场需求。

在爱达荷州，美光正在建设Fab ID1工厂，预计2025年6月达到关键建设里程碑，并于2027年下半年开始晶圆生产。Fab ID1将成为全球规模最大、最先进的DRAM生产设施之一，其洁净室面积达600,000平方英尺（约55,700平方米），是GlobalFoundries Fab 8洁净室产能的两倍，与三星和SK海力士在韩国运营的大型晶圆厂相当。而Fab ID2将建在ID1附近，共享基础设施，预计比纽约工厂更早投产。

纽约的项目同样雄心勃勃，涉及四座晶圆厂的建设，每阶段洁净室面积约为600,000平方英尺。尽管具体时间表尚未公布，但该项目显然是美光长期战略的一部分，旨在建立强大的美国本土制造能力，以支持商业和国家计算需求。

此外，美光还计划升级弗吉尼亚州马纳萨斯工厂的生产能力，主要用于汽车、航空航天、国防和工业应用的存储芯片制造。升级完成后，该工厂将具备HBM内存堆栈的组装和先进封装能力。不过，美光表示，只有在爱达荷州工厂提升DRAM晶圆产量后，才会为马纳萨斯工厂增加HBM生产能力。这意味着美光未来可能在美国生产HBM5或HBM6。

美光首席执行官兼董事长Sanjay Mehrotra表示：“作为2000亿美元投资计划的一部分，我们将在美国业务中建立足够的DRAM晶圆规模后，将先进封装能力引入美国，以支持我们的长期HBM增长计划。”