据报道，东京大学的研究团队成功开发出一种基于掺镓氧化铟（InGaOx）晶体材料的新型晶体管，为微电子技术领域带来了重大突破。这一成果有望突破传统硅基材料的限制，显著提升人工智能（AI）和大数据处理的运算性能，为延续摩尔定律提供了新思路。

东京大学团队采用掺镓氧化铟材料，利用其高度有序的晶体结构，显著提升了电子迁移效率。同时，研究团队创新性地设计了环绕式栅极（gate-all-around；GAA）结构，使栅极完全包裹电流通道。相比传统结构，这种设计大幅提高了电子迁移率和器件稳定性。

核心研究人员陈安兰介绍，通过在氧化铟中加入镓元素，团队优化了材料的电学性能，有效减少了氧缺陷问题，从而提升了晶体管的稳定性。研究人员利用原子层沉积工艺，逐层构建InGaOx薄膜，并通过精确加热将其转化为目标晶体结构，最终制备出高性能金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）。

测试结果显示，这款环绕式MOSFET迁移率高达44.5cm²/Vs，并在严苛应力测试中连续稳定工作近三小时，展现出卓越的可靠性。与此前报道的类似器件相比，其性能实现了显著提升。这一突破性成果为AI、大数据处理等高运算需求领域提供了高效且密集的电子元件解决方案，具有重要应用前景。