晶体管作为现代电子设备的核心组件，其性能提升对行业发展至关重要。然而，随着传统硅基晶体管逐渐接近物理极限，全球科研团队纷纷探索新材料与新设计。据东京大学研究团队透露，他们近期成功开发出一种基于掺镓氧化铟（InGaOx）的新型晶体管，为人工智能、大数据等高运算需求领域带来新希望。

这种新型晶体管采用环绕式栅极（gate-all-around; GAA）设计，将栅极完全包覆在电流通道周围，从而显著提升电子移动率和长期稳定性。研究团队通过在氧化铟中掺入镓，有效抑制了材料中的氧缺陷，大幅改善了电性反应。实验结果显示，该晶体管的电子移动率达到44.5cm²/Vs，并在施加应力下保持稳定运行近三小时，展现出卓越的可靠性。

据研究人员陈安兰介绍，团队使用原子层沉积技术逐层涂覆InGaOx薄膜，并通过加热将其转化为高度有序的晶体结构，最终制造出高性能金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）。这种材料的晶体结构能够促进电子高效移动，为未来高密度电子元件的设计提供了新方向。