在2025年VLSI研讨会上，英特尔发布了关于其Intel 18A（1.8nm级）制程技术的详细论文。这是英特尔首次将该工艺的所有技术参数整合成完整文档。据披露，这一新制程在能效、性能和芯片面积上均有显著提升，相较前代Intel 3（7nm级）制程，技术密度提升30%，性能提高25%，或功耗降低36%。Intel 18A预计在2025年下半年量产，与台积电即将推出的N2（2nm）工艺正面竞争。
关键技术突破：RibbonFET与PowerVia
Intel 18A制程采用了第二代RibbonFET全环绕栅极（GAA）晶体管和PowerVia背面供电网络（BSPDN）。RibbonFET晶体管通过四条纳米带结构，支持八档逻辑阈值电压（VT），为高性能和低功耗需求提供了灵活选择。PowerVia则通过将供电网络转移到芯片背面，实现了电源布线与信号线路的物理隔离，解决了传统后端工艺中的垂直连接电阻问题，同时提升了晶体管密度和电气性能。
据英特尔披露，PowerVia技术使晶体管密度增加8%~10%，并显著降低电压波动，最高可将波动抑制效果提升10倍。此外，该技术还优化了芯片设计流程，简化了电源网格设计，并与先进封装技术（如Foveros和EMIB）兼容。
性能与功耗的优化
Intel 18A制程在性能和功耗方面表现突出。相较于Intel 3制程，在相同时钟频率和电压条件下，Intel 18A的功耗降低36%。即使在低电压（0.75V）环境下，仍能保持18%的速度优势并减少38%的能耗。此外，Intel 18A的高密度SRAM存储单元面积为0.021µm²，存储密度约为31.8Mb/mm²，与台积电N5/N3E节点持平，但略低于台积电即将量产的N2制程（0.0175µm²，38Mb/mm²）。
台积电2nm的强势竞争
尽管英特尔在技术上取得了显著进展，但台积电的2nm工艺仍占据优势。据报道，台积电的N2制程良率已达60%，而英特尔18A的良率仅为20%~30%。此外，台积电凭借其规模优势和完整生态，吸引了苹果、AMD等大客户，并计划在中国台湾晶圆厂启动2nm工艺量产。Counterpoint Research预测，台积电2nm产能有望在2025年四季度实现满载。
面临的挑战与未来展望
英特尔18A制程虽然在性能和功耗上具备竞争力，但在芯片密度和成本方面可能仍落后于台积电。此外，英特尔新制程屡屡延期，试产后已有外部客户退出，导致需求不及预期。相比之下，台积电凭借其强大的制造能力和客户基础，或将在2nm竞争中占据上风。
英特尔能否在先进制程领域实现逆袭，仍需时间验证。但可以肯定的是，这场技术竞赛将推动半导体行业的进一步发展。
