英特尔在VLSI 2025研讨会上发表了一篇关于Intel 18A制程技术的论文，全面展示了这一制程节点在架构、性能和制造方面的改进。据Tom's Hardware报道，Intel 18A制程将在功耗、性能和面积上较上一代显著提升，晶体管密度提高30%，性能提升25%，功耗降低36%。这一制程节点预计于2025年下半年量产，将与台积电的2纳米制程展开正面竞争。

Intel 18A制程技术专为客户端和数据中心应用设计，首款采用该制程的产品将是英特尔的Panther Lake CPU，计划于2025年稍晚发布。相比Intel 3，Intel 18A在相同时脉频率和1.1V电压下，功耗降低36%；而在0.75V低电压下，速度提升18%，能耗降低38%。此外，采用Intel 18A的芯片设计面积比使用Intel 3的设计减少约28%，进一步优化了芯片的集成度。

Intel 18A架构基于英特尔第2代RibbonFET GAA晶体管，并结合PowerVia背面供电网络（BSPDN）技术。PowerVia技术通过将电源输送至晶体管背面，相比台积电的Super Power Rail部分背面供电方案，设计复杂性有所不同。英特尔还引入了新型高密度“金属-绝缘体-金属”（MIM）电容，以增强电源稳定性。

在生产流程方面，Intel 18A通过背面金属层设计简化了芯片制造。将电力传输移至背面后，无需正面电网，结合极紫外光（EUV）图案化技术减少了光罩总数，并优化了前端金属工艺。此外，M0-M2金属层实现了单次EUV图案化，进一步降低了工艺复杂性，同时降低了成本。

Intel 18A的背面金属层设计具有低电阻和高导热性，可有效管理GAA晶体管的高功率密度。通过优化载体晶圆键合技术，PowerVia还支持背面散热，解决了高性能晶体管带来的散热难题。这一技术还兼容Foveros和嵌入式多芯片互连桥接（EMIB）等先进封装方案。

Intel 18A制程技术已经通过了1000小时高温老化与热循环的JEDEC可靠性测试，验证了其在需要长时间运行的设计中的可靠性。这一制程节点不仅提升了性能和能效，还优化了生产流程，为未来的芯片设计提供了更高效的解决方案。