据韩媒Financial News报道，长鑫存储计划在2025年底前交付第四代高带宽存储器（HBM3）样品，并预计从2026年开始全面量产。此外，长鑫存储还设定了2027年开发第五代HBM（HBM3E）的目标，。
长鑫存储原本计划于2026年开发HBM2，但目前已将时间表提前至2025年实现中小规模生产。这一调整表明其在HBM领域的开发和量产蓝图正在加速推进。与此同时，长鑫存储也在积极扩充产能，目标是在2025年第四季度将HBM专用产能提升至每月5万片晶圆左右。
在产品结构上，长鑫存储正逐步向高附加价值DRAM转型，计划到2025年底，使DDR5产品占其整体DRAM出货量的60%。
面对长鑫存储的强势崛起，韩国存储巨头三星和SK海力士也加快了技术升级步伐。SK海力士已向主要客户提前供应第六代HBM（HBM4）12层样品，并计划从2025年下半年开始量产。三星则持续优化1c DRAM良率，加速布局包括HBM4在内的先进产品生产线，其位于韩国平泽的第四工厂（P4）成为设备投资的重点区域。
