据韩媒Businesspost报道，三星电子正加速开发下一代低功耗存储器LPDDR6，预计2025年下半年推出。三星计划采用1c DRAM制程技术，目标是向高通等科技巨头供应新产品。
据业界消息，长鑫存储已完成LPDDR5X的开发，并开始布局LPDDR6研发，技术能力逐步接近韩国厂商。据悉，长鑫存储于2023年底实现LPDDR5商用化，并在2025年初成功量产LPDDR5X。若按当前研发速度，其LPDDR6量产时间可能在2026年，与三星的量产时间差距不足一年。
LPDDR存储器因低功耗特性，在智能手机、机器人、自动驾驶等未来产业中占据重要地位。随着人工智能技术的发展，相关电力消耗激增，低功耗存储器需求持续增长。长鑫存储不仅在高带宽存储器（HBM）领域发力，同时在LPDDR市场也对三星等厂商形成压力。
三星DS部门负责人全永铉将1c DRAM制程视为关键技术，以拉大与长鑫存储的技术差距。DRAM制程从1x到1c逐步演进，线宽越精细，性能和能效越高。相关人士指出，鉴于美光已推出基于1c制程的LPDDR5X，三星很可能采用相同技术开发LPDDR6。
此外，高通计划在2025年9月的“Snapdragon Summit 2025”上发布搭载LPDDR6的次时代笔记本电脑系统单芯片（SoC）。这一合作对三星营收增长至关重要。
