据外媒报道，三星电子设备解决方案（DS）部门副董事长全永铉近日宣布，三星将于今年下半年通过第六代“1c DRAM”工艺量产下一代LPDDR6内存，并计划向高通等科技巨头供货。这一技术的落地将为AI模型训练和移动终端算力升级提供更强支持。

据悉，1c DRAM工艺是DRAM制造的第六代节点技术，相比前代产品，其晶体管密度更高，能效比显著提升。三星通过“设计变更”战略，将1c DRAM的冷态良率提升至50%，热态良率则达到60%-70%。目前，三星正计划在韩国华城工厂建设新生产线，以扩大产能。LPDDR6内存基于1c工艺开发，带宽和功耗表现均有显著优化，能够满足AI服务器、智能手机等领域的高性能需求。

此外，三星还在HBM4等高端存储产品中部署1c DRAM技术，构建覆盖AI全场景的内存解决方案。目前，三星已制定1c DRAM扩产计划，预计最早于今年年底完成韩国华城工厂的生产线建设。同时，该公司正同步开发DDR与LPDDR用1c DRAM，打破传统开发顺序，加速商业化进程。