据韩媒每日日报援引业界消息，三星电子和SK海力士正在全面推动基于人工智能（AI）的半导体电子设计自动化（EDA）技术，以强化在下一代半导体领域的竞争优势。两家公司已在先进制程和存储器领域实现了AI设计的商用化，并取得显著成果。

三星成功利用AI驱动的EDA技术，完成了可能搭载于Galaxy S25系列的3纳米GAA制程Exynos应用处理器（AP）的投片（Tape-out）。此次3纳米移动芯片在电力、性能及面积优化方面，相较传统设计方式展现了显著优势，不仅推动了GAA架构3纳米制程的量产，还提升了移动AP的开发效率。此外，三星与新思科技合作，完成了2纳米制程中AI EDA解决方案的验证，并计划于2025年推出面向移动设备的2纳米（SF2）产品，随后逐步拓展至高效运算（HPC）、AI以及车用市场。

SK海力士则通过引入AI EDA技术，加速了2025年第六代HBM（HBM4）和DDR6等新一代存储器的研发进程。公司还与NVIDIA、台积电等企业深化合作，目前已向主要客户供应12层HBM4产品，并计划在2025年下半年实现量产。此外，SK海力士将AI自动化技术应用于HBM4基础裸晶设计，显著提升了复杂电路设计与验证的效率，以满足客户需求。