5月22日，SK海力士宣布成功开发出搭载321层1Tb TLC 4D NAND闪存的移动端解决方案UFS 4.1。这款产品专为端侧AI优化，具备高性能、低功耗特性，同时厚度减薄15%，适用于超薄旗舰智能手机。

据SK海力士介绍，随着端侧AI需求的增长，终端设备对计算性能和电池效率的平衡提出了更高要求。此次推出的新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%，厚度从1mm减至0.85mm，满足了超薄设计需求。此外，其顺序读取速度高达4300MB/s，随机读取和写入速度分别提升了15%和40%，达到UFS 4.1产品中的全球领先水平。这些特性能够实时支持端侧AI所需的数据处理，显著提升应用程序运行效率和用户体验。

该产品提供512GB和1TB两种容量规格，计划于今年内向客户交付样品进行验证，并预计在明年第一季度正式量产。SK海力士开发总管安炫社长表示，公司还计划年内完成基于321层4D NAND闪存的消费级和数据中心级固态硬盘（SSD）产品开发，进一步巩固其“全方位面向AI的存储器供应商”地位。