据媒体报道，中国台湾计划通过修订《产业创新法》第22条，加强对先进制程技术出口及对外半导体投资的管控。新规将强制实施“N-1”技术限制政策，意味着台积电无法向海外出口其最新生产节点，仅能输出次先进制程技术。这一政策预计于2025年底生效，但具体施行日期将在修订细则公布后六个月内确定。

中国台湾行政院负责人卓荣泰确认，“N-1”政策将适用于台积电在美国的生产计划。在此之前，中国台湾法规并未对半导体制造工艺出口设置明确限制。此次修订正值地缘政治风险加剧之际，台积电此前宣布计划将其在美国的投资额从650亿美元提升至1650亿美元，但具体时间尚未披露。

台积电的制程技术布局也因新规面临不确定性。目前，台积电的尖端节点为N3P（3nm）制程，预计今年底将推出N2（2nm）制程。而到2026年底，台积电可能拥有两个旗舰节点：面向客户端应用的N2P和针对高性能计算（HPC）应用的A16（1.6nm）工艺。这些技术是否会受到出口限制，仍需进一步观察。

此外，新规还首次引入了处罚措施。未经批准在海外投资的公司可能面临5万至100万元新台币（约合人民币22.5万元）的罚款；若已获批准但存在违规行为，罚款金额将提高至50万至1000万元新台币（约合人民币225万元）。尽管如此，相比台积电计划在美国工厂投入的1650亿美元，罚款金额对其整体利润影响有限。