小米玄戒O1芯片采用台积电3纳米制程,或面临美国出口管制风险
来源:赵辉 发布时间:2025-05-22
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小米战略新品发布会于22日晚7点举行,会上发布了备受关注的自研手机SoC芯片“玄戒O1”。据雷军透露,该芯片采用台积电第二代3纳米(N3E)制程,晶体管数量达190亿颗,性能参数与苹果A17 Pro系列处理器相当。首批搭载玄戒O1的小米15S Pro手机和小米平板Pad 7 Ultra已开始大规模量产。
玄戒O1的制程选择引发关注。与联发科天玑9400相同,这款芯片采用了台积电第二代3纳米制程,虽然未达到高通Snapdragon 8 Elite和苹果A18 Pro所用的第三代3纳米(N3P)水准,但已跻身旗舰级芯片行列。相比之下,三星的第二代3纳米制程至今良率未达预期,且未官宣外部客户,因此小米选择台积电显得更为稳妥。
从技术角度看,小米能在2025年量产3纳米芯片,表明其早在2021年立项后便已获取相关开发工具。业内人士对此表示惊讶,称“没想到小米能直接跳过7纳米和4纳米,一步推进到3纳米”。
然而,玄戒O1的晶体管数量虽未突破300亿颗的管制临界值,但其190亿颗的规模已接近联发科天玑9300的227亿颗,这使得小米在台积电投片的策略存在一定风险。据业内人士分析,小米虽未被列入美国出口管制“黑名单”,但未来仍可能触发美国商务部工业与安全局(BIS)的“最终用途审查”。
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