近日，联电发布2024年度营运报告书，披露了与英特尔合作开发12nm FinFET制程技术平台的最新进展。据报告显示，该平台预计将在2026年完成制程开发并通过验证，并计划于2027年实现量产。这一合作被视为联电在技术升级与成本效益产能扩张方面的重要策略。

联电在先进封装领域也取得了显著进展。其晶圆级混合键合技术（W2W hybrid bonding）已完成产品验证，预计今年进入量产。此外，联电还成功开发了3D IC异质整合技术，正与供应链合作推进逻辑芯片与客制化内存的异质整合验证。同时，硅中介层加入深沟槽电容（DTC）技术已通过验证，进入试产阶段，为2.5D封装芯片提供电源完整性支持。