4月27日，银河微电发布2024年度业绩报告。报告显示，公司全年实现营业收入9.09亿元，同比增长30.75%；归属于上市公司股东的净利润为7187.42万元，同比增长12.21%；扣除非经常性损益后的净利润为4804.99万元，同比增长49.21%。

报告指出，业绩增长的主要原因是公司聚焦主业，灵活应对市场变化，优化内部产品结构，推动产销量稳步提升。截至报告期末，公司总资产达22.06亿元，较期初增长10.83%。基本每股收益和稀释每股收益同比增长12%，扣非后基本每股收益同比增长52%。

研发方面，银河微电2024年投入研发费用5604.99万元，同比增长33.08%，占营业收入比例为6.17%。全年新增申请知识产权52项，授权39项。公司在第三代半导体领域取得突破，初步具备SiC MOSFET和GaN HEMT芯片设计能力，并实现小批量应用。硅基材料平台方面，通过优化电荷平衡与栅极结构，采用多层外延技术，显著降低导通电阻和动态损耗。此外，功率MOSFET领域的Clip封装技术创新，提升了散热效率和电流承载能力，满足车规级高可靠性需求。

在产业布局上，公司“车规级半导体器件产业化”项目进入产能爬坡阶段，产品包括IGBT、SiC MOSFET等，已通过多家车企供应链认证，覆盖新能源汽车电机控制、车载充电系统及ADAS领域，逐步替代英飞凌、安森美等海外厂商的中高端市场份额。同时，光电耦合器及LED产品已应用于工业自动化、医疗设备等领域，并与客户合作开发高精度传感器及电源管理模块。