据韩媒Money Today援引业界消息，三星电子在测试高数值孔径（High NA）极紫外光（EUV）微影设备时，成功将特定制程时间缩短60%。这一成果表明，三星在提升半导体生产效率方面取得重要进展，预计该设备将被广泛应用于2纳米及以下先进制程。
ASML在近期的电话财报会议上罕见直接提及三星、英特尔等客户名称，并公布了High NA EUV设备的最新进展。这一举动被认为是为了消除市场对新设备性能的疑虑。据悉，High NA EUV设备能够一次性生成超微细电路图案，晶体管密度提升2.9倍，显著降低曝光作业的时间与成本。
在先进制程领域，High NA EUV设备被视为关键工具。三星计划在2025年量产2纳米制程，并在2027年推出1.4纳米制程，而台积电同样预计在2027年量产1.4纳米制程，届时两家公司都将采用该设备。ASML目前仅生产了5台EXE:5000型号设备，其中一台据传已于2025年第一季度交付三星。目前，仅有英特尔、台积电和三星获得了这一设备的供应。
ASML计划停止供应第一代EXE:5000，转而推出新机型EXE:5200，重点研发新曝光制程。预计从2026年起，新版设备将正式投入量产，三星也有望成为首批获得EXE:5200供应的企业之一。
由于每台High NA EUV设备售价高达5000亿韩元（约合3.5亿美元），且供应数量有限，该设备将主要用于关键制程。三星在获得EXE:5000之前，已提前研究光罩（photomask）和次世代制程技术，具备一定的先发优势。
业内人士指出，High NA EUV设备通过强光一次性完成多阶段绘制作业，不仅能提高生产效率，还能减少制程步骤，从而降低错误率，进一步提升良率。
