据路透社报道，台积电业务开发资深副总裁张晓强近日表示，台积电即将推出的A14制程目前仍未看到必须采用ASML高数值孔径（high-NA）极紫外光（EUV）微影设备的理由。台积电仍在评估未来制程节点是否需要引入该设备。

张晓强在一场记者会上提到，A14制程即使不采用high-NA EUV设备，也已经取得了显著成效。因此，台积电技术团队正在探索如何通过现有低数值孔径（low-NA）EUV设备的微缩优势，进一步延长其使用寿命。他指出，只要能持续找到解决方案，台积电显然没有采用high-NA EUV设备的必要。

今年4月底，张晓强在台积电于加州举办的北美技术论坛上曾透露，预计2028年投产的A14芯片图案化制程不会使用high-NA EUV设备。他表示，从2纳米到A14制程，台积电无需采用high-NA就能保持类似的复杂性。

此外，张晓强在2024年也曾透露，台积电A16节点同样不会采用high-NA EUV设备，主要原因在于设备定价过高。据悉，ASML的high-NA EUV设备价格接近4亿美元，这一高昂成本成为台积电考量的重要因素。