据报道，随着人工智能（AI）应用需求的快速增长，中国台湾存储器厂商正积极布局边缘AI市场，试图通过低功耗、高带宽的定制化存储器方案抢占新蓝海。业界预计，相关产品将在2026年下半年至2027年实现量产，市场竞争也将进入白热化阶段。

南亚科近期宣布与钰创合作成立一家AI存储器设计服务公司，资本额为5亿元新台币，双方分别持股80%和20%。该合资公司将依托南亚科的先进制程技术，提供高效能、低功耗的定制化存储器解决方案。此前，南亚科还向子公司补丁科技投资6.6亿元新台币，以强化定制化DRAM设计能力。尽管两项投资均聚焦定制化AI存储器应用，但南亚科总经理李培瑛解释称，与传统DRAM市场以标准化产品为主不同，边缘AI的兴起促使市场需求向定制化方向转变。

南亚科计划通过晶圆堆叠（WoW）和硅钻孔（TSV）技术，基于现有1B制程或未来1C制程开发“类HBM”存储器。李培瑛透露，该计划预计在2026年底前完成验证并开始出货，目前已有多家客户表达合作意愿。

华邦电则将CUBE技术视为边缘AI市场的重要突破口。总经理陈沛铭表示，CUBE存储器以高带宽、低功耗、小尺寸为特点，可满足穿戴设备等小型装置的需求。当前，市场对CUBE的需求十分旺盛，华邦电已进入验证阶段，预计2026年下半年实现量产。

此外，爱普AI事业部推出的3D堆叠存储器VHM技术也备受关注。该技术在带宽和功耗表现上显著优于HBM，但因3D DRAM属于非标准品，客户更倾向于定制化解决方案。爱普强调，其技术路线与华邦电和南亚科的高带宽存储器有所区隔，将专注于AI高效运算（HPC）领域的产品开发。