近日，山东力冠正式推出12英寸PVT电阻设备和8英寸多坩埚设备，为8-12英寸碳化硅（SiC）晶圆的规模化、稳定化和低成本制备提供了全新解决方案。这两款设备是碳化硅晶圆制备的核心工艺装备，其性能直接影响晶锭的生长效率、质量和成本。

据资料显示，山东力冠成立于2013年，是国内半导体装备制造行业的领先企业。其产品覆盖第一代至第四代半导体材料工艺装备，包括PVT单晶生长设备、HVPE设备、SiC籽晶粘接设备等，广泛应用于集成电路、5G芯片和光通信等新兴领域。目前，其设备已进入比亚迪半导体等头部企业产线，并出口至中国台湾、俄罗斯、韩国、新加坡等国家和地区。

12英寸PVT电阻炉通过集成先进多温区精准控制技术，单炉次生长效率提升达40%，同时确保晶格质量与厚度的一致性，满足严苛的量产要求。而8英寸多坩埚设备采用3-5个坩埚同步生长，单次产出能力显著提升，大幅降低制造成本。其创新的硬件架构与智能控制软件相结合，实现了高精度温度与真空压力的动态调控，并通过独家多坩埚协同温场技术解决了传统设备热场分布不均的问题。