铠侠近日宣布，将在本财年内启动其最新“第9代”BiCS FLASH 3D闪存的量产，并已开始向客户供应样品。据日本媒体报道，这款产品预计将在2026年3月底前进入大规模生产阶段，并将主要应用于智能手机等高端设备中。

据悉，这款第9代BiCS FLASH 3D闪存采用512Gb TLC规格，结合了最新的CMOS技术。与2022年推出的第6代产品相比，其写入性能提升了61%，读取性能提高了12%，同时功耗显著降低，写入时功耗减少36%，读取时降低27%。

此外，铠侠在6月5日公布了未来五年的中长期运营计划，目标是到2029财年将产能提升至2024财年的两倍。为实现这一目标，铠侠计划扩建其在日本的两大生产基地——四日市工厂和北上工厂。其中，北上工厂的“第2厂房(K2)”将于今年9月正式投产，专门用于生产最先进的第8代NAND闪存“BiCS8”。铠侠还计划逐步提高“BiCS8”的生产比例，力争到2026年3月使其成为公司营收的重要来源之一。

面对全球半导体市场的快速增长，特别是AI、数据中心和高端智能手机领域的需求，铠侠正通过不断的技术创新和产能扩张，进一步巩固其在NAND闪存市场的领导地位。这款次世代闪存产品将在四日市工厂生产，为高端设备提供更高效、更节能的存储支持。