日本先进半导体制造商Rapidus于7月18日宣布正式启动2nm GAA（全环绕栅极）晶体管的试制，并展示了其首块2nm GAA晶圆。这一进展被视为半导体行业从“三足鼎立”迈向“四厂争霸”时代的重要里程碑。

Rapidus的首座晶圆厂IIM-1于2023年9月1日奠基，随后在2024年12月完成了洁净室的准备工作。到2025年4月1日，该工厂已实现初始图案的曝光与显影，并在2025年6月完成了由200多个制造单元组成的生产线建设。

此外，Rapidus正在开发与2nm工艺兼容的PDK（工艺设计套件），计划在2026年第一季度末前交付给客户。其2027年实现2nm工艺量产的目标依然按计划推进。

▲ Rapidus展示的2nm GAA晶圆

▲ IIM-1晶圆厂外观