据Tower Semiconductor报道，该公司与pSemi联合发表的论文《采用PCM射频开关与集成CMOS驱动器的0-110GHz低损耗宽带SPDT设计》在2025年IEEE国际微波研讨会（IMS）行业论文竞赛中荣获大奖。论文于2025年6月19日在IMS专题会议上发表，并获得最佳论文奖。

Tower Semiconductor的相变材料（PCM）射频开关技术在射频开关领域实现重大突破，受到高度认可。该技术具有优异的性能指标组合，包括DC-110 GHz带宽、<2 dB插入损耗、30 dBm功率处理能力，以及较RFSOI CMOS解决方案提升15-20 dB的线性度。通过Tower的后端制程（BEOL）集成技术和数字控制技术，该方案实现了超低损耗宽带性能、高功率处理能力和全CMOS集成，为5G、6G、卫星通信、波束成形及毫米波应用提供了先进电路解决方案，同时简化了终端用户的实施难度。

Tower Semiconductor副总裁兼RF事业部总经理Ed Preisler博士表示：“这一成就彰显了我们推动射频前端集成技术发展的承诺，也体现了与pSemi等战略合作伙伴关系的价值。”pSemi销售与市场副总裁Rodd Novak表示：“获得IMS认可深感荣幸，这体现了我们在宽带射频开关研究与设计领域的技术追求。”