据台媒报道，中国台湾研究中心与半导体设备商鼎极科技近日宣布，成功合作开发出“红外线奈秒雷射应用于碳化硅（SiC）晶圆研磨制程”的关键技术。目前，相关设备已进入安森美（ON Semiconductor）捷克工厂进行验证。

碳化硅作为一种化合物半导体材料，因其高电压耐受性、高热导电性和高化学稳定性，成为车用电源、驱动系统、太阳能逆变器等领域的核心材料。然而，碳化硅晶圆的加工难度较大，传统研磨工艺耗时长且破片率高，成为量产的主要瓶颈。

中国台湾“实验研究院”院长蔡宏营在记者会上表示，中心凭借在精密光学与先进雷射领域的研发经验，开发出专为碳化硅片量产需求设计的“雷射研磨技术”。该技术可将每片晶圆的研磨时间从3小时缩短至2小时，破片率从5%降至1%，大幅提升了产品良率。

据中心研究员林宇轩介绍，碳化硅的硬度是硅的3倍，传统研磨工艺耗时60至120分钟，且破片率高达5%至10%。而新开发的奈秒脉冲雷射技术可使碳化硅表面软化，硬度从3000HV降至60HV，显著降低了后续加工的时间和成本，同时减少了晶圆损伤。

鼎极科技营运长钱俊逸表示，目前晶圆研磨设备市场由日本Disco公司主导，但此次取得中心技术授权后，鼎极科技的能力已媲美甚至部分超越Disco。尽管其方案尚无法完全取代Disco，但已具备抢占部分后段制程市场的能力。