英飞凌引入SiC超结技术，扩展CoolSiC产品线

据英飞凌5月6日宣布，其CoolSiC产品线正式引入基于沟槽的碳化硅超结技术（TSJ），将电压覆盖范围扩展至400V至3.3kV。这一技术升级结合了沟槽栅极结构与超结电荷平衡原理，延续了英飞凌在硅基超结技术（CoolMOS）领域的技术积淀，实现了器件性能和能效的显著提升。

英飞凌表示，此次技术扩展将涵盖分立器件、模制和基于框架的模块以及裸片，全面覆盖汽车电驱动、电动汽车充电、光伏逆变、储能系统及工业牵引等核心领域。这将为汽车和工业领域提供更加多样化的产品选择，满足不同场景的应用需求。

基本半导体发布新一代碳化硅MOSFET

同日，基本半导体官微宣布推出新一代碳化硅MOSFET系列新品。该产品矩阵覆盖车规级和工业级多场景需求，包括面向车用主驱领域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏储能的1200V/40mΩ系列，以及面向AI算力电源和户储逆变器的650V/40mΩ系列。

据基本半导体介绍，650V/40mΩ系列产品通过将元胞间距微缩至4.0μm，在低电压等级下实现了更高的性能表现。这一系列新品将显著提升终端应用的系统效率和高温性能，降低能量损耗，助力新能源领域实现更高效、更经济的功率器件解决方案。

图源：基本半导体（图为新一代碳化硅MOSFET参数列表）