罗姆半导体集团近日宣布，推出一款适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET——“RY7P250BM”。据罗姆介绍，该产品已在月产100万个的规模上投入量产，前道工序生产基地为ROHM Co., Ltd.（日本滋贺工厂），后道工序生产基地为OSAT（泰国）。此外，该产品已通过电商平台上线销售。

新产品“RY7P250BM”采用8×8mm封装，同时具备业界超宽SOA范围和超低导通电阻，能够有效降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷，从而提升服务器的可靠性并实现节能。相比传统12V电源系统，48V电源系统在热插拔电路中对MOSFET的要求更高，需要兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，以防止浪涌电流和过载损坏。

据罗姆透露，RY7P250BM在脉宽10ms时SOA可达16A，1ms时可达50A，性能表现居业界领先水平，能够应对以往MOSFET难以支持的高负载应用。同时，其导通电阻仅为1.86mΩ（条件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃），比普通8×8mm尺寸100V耐压MOSFET的导通电阻低约18%。这一特性有助于提升服务器电源效率、减轻冷却负荷并降低电力成本。

图源：罗姆半导体