近日，2025上海宽禁带与超宽禁带半导体产业创新发展推进会在临港新片区举办，会上启动了“超宽禁带半导体未来产业集聚区”建设，并推出多项战略举措。

据“上海科技”报道，临港新片区将发挥产业与资源优势，深化市区联动，在关键技术攻关、应用场景建设和公共技术平台建设等方面加强政策支撑，推动创新链、产业链、资金链和人才链深度融合，打造适合宽禁带与超宽禁带半导体产业发展的创新生态。

宽禁带与超宽禁带半导体作为新型半导体材料，展现出显著性能优势。宽禁带半导体禁带宽度在2-4 eV之间，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高击穿场强、高热导率和高频特性，广泛应用于逆变器、充电桩、工业电机驱动等领域。超宽禁带半导体禁带宽度大于4 eV，以金刚石、氧化铝和氧化镓为代表，在电网、高铁、医疗消毒等领域有广阔市场前景。

目前，宽禁带半导体已进入规模化应用阶段，未来将逐步替代硅基器件；超宽禁带半导体尚在研发突破期，需解决材料缺陷、器件工艺和可靠性问题。氧化镓可能因成本低率先在功率器件领域突围，金刚石则瞄准高端散热和量子技术。

上海近年来在宽禁带与超宽禁带半导体领域加速布局，以临港新片区为主要集聚地，初步构建起宽禁带半导体全产业链发展格局，聚集芯源微、拓荆科技等一批龙头企业。临港新片区党工委副书记吴晓华表示，到2026年，临港在宽禁带半导体领域的设备材料及晶圆制造规模、模组器件规模均将超100亿元，成为全国宽禁带半导体产业链最全、创新能力最强、应用生态最好的基地。

会上，上海市宽禁带与超宽禁带半导体材料重点实验室揭牌，该实验室由上海天岳半导体材料有限公司与中国科学院上海光学精密机械研究所共同筹建，致力于打通科技创新和产业化双向链接通道。超宽禁带半导体概念验证中心、集成电路材料概念验证中心启动建设，将依托临港新片区产业布局优势，推进技术可行性与商业潜力验证。宽禁带与超宽禁带产业基金矩阵发布，由上海市未来产业基金等9家机构组成，为行业发展提供支持。上海市超宽禁带半导体创新发展联盟发起成立，集聚全国相关领域高校、科研院所及企业，构建产业技术创新体系。