华邦电NOR与NAND闪存技术取得新突破
来源:赵辉 发布时间:2025-04-28
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据华邦电最新年报显示,公司董事长焦佑钧在致股东报告中提到,华邦电在NOR闪存45纳米制程的基础上显著提升了营收贡献,同时NAND闪存24纳米已顺利实现量产。
年报指出,华邦电将绿色设计理念融入存储器业务,以推动可持续发展。NOR闪存45纳米制程正在扩大收入占比,而NAND闪存24纳米量产的顺利推进,进一步巩固了其市场地位。数据显示,去年NOR闪存占华邦电总营收约24%,DRAM则贡献了35%的收入。此外,DRAM最新制程20纳米将逐步取代25S纳米,16纳米工艺也在按计划开发中。
在产品创新方面,华邦电推出的1.2V NOR闪存成为首款支持超低电压操作的存储产品。其低功耗特性已获得客户认证,并实现大规模出货,预计将推动低电压NOR闪存在可穿戴设备和物联网领域的应用。同时,45纳米NOR闪存凭借更小的芯片尺寸,满足了市场对小型化需求。
在逻辑业务领域,华邦电推出基于Arm Cortex-M55核心的NuEzAI-M55M1开发板,为终端AI开发提供了低成本、高效率的解决方案。此外,公司开发的工业用电池监控芯片已成功导入日本客户,支持48伏特电压和17个串联电池,进一步拓展了新能源市场。
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赵辉
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