据华邦电透露，公司自主研发的CUBE（客制化超高频宽记忆体元件）解决方案，采用DDR3芯片的垂直堆叠设计，能够实现类似HBM的效果，带宽甚至超越HBM4。预计从2026年开始，CUBE将逐步为公司带来营收，目标是到2028年占DRAM事业营收的40%。该产品最初可能应用于挖矿领域，未来还将拓展至监控摄影、穿戴装置等AI边缘运算场景。

目前，华邦电在实验室已完成3颗DDR3芯片堆叠的CUBE版本。在量产阶段，计划挑战堆叠至4颗芯片，外加一支撑芯片。这种设计可根据SoC面积与I/O数量调整带宽，其I/O数量可扩展至2000至8000个，远高于标准DRAM的16至24个。即便在低频率下，CUBE仍能实现高效数据传输。

华邦电强调，CUBE并非要取代HBM，而是填补HBM与传统DRAM之间的市场空白。以HBM3e为例，单一1GB产品售价约为标准DRAM的7倍，而CUBE预计以约一半的价格提供2GB、4GB、8GB等弹性容量组合，满足高频宽与低热负载需求的应用场景。

从技术角度看，CUBE采用Wafer-on-Wafer架构堆叠，内部接点超过1兆处，每个接点间距仅3微米，对贴合良率与杂质控制要求极高，量产难度大。目前，CUBE产品在高雄厂试产，主要采用16纳米制程，部分客户选择20纳米制程。

产能方面，高雄厂月产能约为1.5万片，台中厂月产能达5.2万片。自2025年3月起，两厂产能已全部满载，反映出强劲的急单需求。然而，近期新台币汇率急剧上升，产品报价未涨，给公司第二季盈利带来压力。华邦电计划通过下半年市场需求回升和价格调整，推动业绩增长。