据南昌发布消息，4月7日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）与南昌高新区签署了微观加工设备研发中心项目合作协议。这一合作标志着双方在半导体领域的合作迈入新阶段，也为南昌在第三代半导体产业的发展注入了新动能。

中微公司此次在南昌高新区布局的研发中心项目，将大幅提升研发投入力度，聚焦多个关键领域。项目主要涉及先进封装产业半导体制造设备与工艺的开发、第三代半导体（碳化硅和氮化镓）功率器件制造设备与工艺的研发、Micro LED用MOCVD设备的应用推广，以及Mini LED用MOCVD设备性能提升。这些方向不仅顺应了当前半导体行业的技术趋势，也彰显了中微公司在高端微观加工设备领域的技术实力和战略眼光。

图源：中微半导体（中微半导体MOCVD设备）

公开资料显示，中微公司在第三代半导体领域已取得显著成果。例如，其推出的用于氮化镓功率器件生产的MOCVD设备PrismoPD5，已交付国内外多家领先客户进行生产验证，并收获了重复订单。此外，中微公司还启动了碳化硅功率器件外延生产设备的研发，取得了重要技术突破。公司已将样机交付至客户处进行生产验证，并与多家客户展开深度合作。

据中微公司2024年年度业绩快报公告，公司2024年营业收入约90.65亿元，同比增长约44.73%。其中，刻蚀设备销售约72.77亿元，同比增长约54.73%；MOCVD设备销售约3.79亿元，同比下降约18.03%。值得注意的是，LPCVD设备在2024年实现了首台销售，全年设备销售额约1.56亿元。尽管公司2024年归属于母公司所有者的净利润约为16.26亿元，同比下降8.93%，但这是由于研发投入大幅增加所致。2024年，中微公司研发投入约24.52亿元，同比增长约94.31%，占营业收入比例约27.05%。

据成都高新区电子信息产业局官微消息，今年2月18日，中微公司与成都高新区签订投资合作协议，设立全资子公司——中微半导体设备（四川）有限公司。该子公司将专注于高端逻辑及存储芯片相关设备的研发和生产，涵盖化学气相沉积设备、原子层沉积设备及其他关键设备。此外，中微公司还将在成都建设研发及生产基地暨西南总部项目，总投资额约30.5亿元，计划购地约50余亩，用于建设研发中心、生产制造基地及相关配套设施。项目拟于2025年启动建设，2027年正式投产。