NAND闪存当前最迫切的需求就是，找出可替代的主流非易失性存储器以促进其堆栈式单元格垂直型NAND结构的发展。

    “我们全部的工作就是在堆叠单元格，” 美光公司 NAND解决方案副总裁Glen Hawk告诉EW，“关键的挑战是成本问题。我们将不会再继续进行垂直型NAND的研发，直到我们觉得垂直型NAND是划算的——要想使得它变得划算还有许多问题需要克服。”

    “当前最大的争论就是我们还需要堆叠多少层，”Hawk补充道，“没人知道究竟还有多少层。”

    堆叠NAND的魅力之处就在于能够减少我们对于缩放的需求。当平面型NAND时代结束时，下一代的NAND——第一代3D垂直型NAND——将会需要更大的几何模型。

    “垂直型NAND堆叠使得我们能够使用更加宽松的几何模型，”Hawk说，“这是我职业生涯中的第一次，我们所销售的产品变的更大，更便宜，同时变得更好了。垂直型NAND比平面型拥有更出色的稳定性和更优秀的性能。”

    虽然NAND的前景看似一片光明，但是当前的问题是，堆叠技术已经达到了电子所能触及到微米量级极限了。当每个单元格内容纳的20纳米以下的电子超过数十个时，NAND的堆叠就会变的不可预知。但是垂直型NAND需要在每一个单元格内堆叠数以百计的电子。

    “垂直型NAND既不受制于平面，也不受制于线，而是受制于设备的物理单元格，”Hawk表示。在10-20纳米量级（NAND当前所处量级）利用量子碰撞结构生产的垂直型NAND是当前NAND技术不可或缺的。

    Hawk认为垂直型NAND在2015年底才会进入市场，在此期间至少还会出现两代平面型NAND。

    “我们至少还需要两年才会生产垂直型NAND，那时候或许它才会和平面型一样是划算的。”Hawk说。

    垂直型NAND已经发展了五年。其意义就是：现在已经不需要再投入最新的内存技术，比如说相变，磁性存储器和记忆电阻。

    “没有什么即将来临的新兴技术能够取代NAND，”Hawk说。

    涉及NAND领域的仅仅只有四个企业——三星，东芝，美光，海力士——有些人担心该行业的资本支出将会一直下降以至于产品短缺，技术更新周期增长。

    “我们应该注意到，我们从平面型NAND到垂直型的过渡是非常巨大的，这个过程与以往不同，所需的设备与以往也有很大区别——这个成本是非常大的，”Hawk回应说。“因此，如果仅仅只是一代或者两代的平面型NAND的更替，我们是不会投入这么多资金的。我们预计我们大多数的设备都可以使用很多代。”

    当问到为什么美光能够始终如此坚定的站在闪存行业时，Hawk回应说：“美光始终在市场周期的运作中表现的非常出色——储备资金翻倍——没有在其他方面进行投资。而其他公司都是投资在其他非核心产业。”

    美光和英特尔合资生产的产品已经转移到了英特尔当前只发挥了一半产能的犹他州晶圆加工厂。美光和英特尔合作的NAND技术部分依然运作良好。

    “我们与英特尔共同合作的技术发展成果非常完美，”曾在英特尔工作了20年的Hawk说，“我从来没有见过这么好的工作。两个企业的文化是如此完美的契合在一起。”