8月5日，晶升股份在其官方微信公众号宣布，成功研发出新一代SCML320A系列水平式8英寸碳化硅外延炉。

据晶升股份介绍，这款SCML320A碳化硅外延炉的性能指标达到了国际先进水平。设备的生长速率≥60μm/h，膜厚均匀性＜1%，掺杂均匀性＜2%，并支持N型和P型两种掺杂类型，可满足不同产品的多样化需求。此外，该设备采用成熟的生长工艺，边部参数可控，工艺调整灵活，新增掺杂气体工艺，进一步提升了生产稳定性。

晶升股份成立于2012年，专注于半导体晶体生长设备领域。公司于2016年成功研制首台12英寸半导体级单晶硅炉，并在2018年交付首台第三代化合物半导体碳化硅单晶炉。2023年，晶升股份在上交所科创板上市，主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售，为半导体材料厂商及其他客户提供定制化产品，包括半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉等。