近日，西部数据（Western Digital）旗下的SanDisk宣布推出高频宽闪存技术（High Bandwidth Flash Memory, HBF），并成立HBF技术顾问委员会。这项技术旨在通过NAND闪存实现更高的存储密度，突破当前高带宽存储器（HBM）在容量上的限制。值得一提的是，GPU界知名人物Raja Koduri受邀担任技术顾问，为这一技术发展提供支持。

根据SanDisk在2025年2月投资者日活动中的介绍，HBF技术能够利用与192GB HBM相同的颗粒数量，实现高达4TB的存储容量，同时兼顾性能与容量的平衡。这为数据中心、人工智能加速计算等领域提供了新的解决方案。HBF的概念类似于AMD此前尝试的SSG（Solid State Graphics）技术，即用NAND闪存替代DRAM作为显存。然而，当时NAND性能不足导致该尝试失败。如今，随着3D NAND堆叠和TSV硅穿孔技术的进步，HBF不仅能够提供接近HBM的带宽，还显著提升了存储容量。

技术实现方面，SanDisk计划采用其专利的BiCS 3D NAND技术和CBA晶圆链合技术，通过最多16层的NAND垂直堆叠，并使用TSV技术连接，再经由中介层基板直接与GPU相连。据透露，HBF的目标是以与HBM相当的带宽，将单位容量提升8至16倍，理论上可实现高达4TB的虚拟显存（VRAM）。Raja Koduri在个人推特中提到，HBM侧重于提高每瓦特和每平方毫米面积的带宽，而HBF则专注于提升存储容量，二者在概念上存在本质区别。

尽管HBF技术潜力巨大，但SanDisk并未将其定位为HBM的直接替代品。由于NAND闪存的延迟高于DRAM，HBF更适合充当HBM之外的额外存储层，特别是在AI推理负载和大型AI模型开发等需要顺序读取大量数据的场景中，其大容量存储优势尤为突出。

此外，SanDisk还邀请了加州大学伯克利分校荣誉教授、谷歌杰出工程师David Patterson加入顾问团队。作为RISC架构和RAID技术的共同发明人，Patterson的加入为HBF技术的研发提供了重要支持。