据《All In Podcast》节目报道，美国财政部长贝森特近日表示，台积电投资400亿美元在美国亚利桑那州建设的大型晶圆厂，可能仅能满足美国7%的半导体需求。贝森特指出，由于美国复杂的监管环境和繁琐的审批程序，该晶圆厂的建设进度受到拖累。他提到，“芯片厂建设速度过快、计划频繁变更，监管人员可能因此要求停工。”他还补充道，美国的建设环境因各类法规变得极为复杂。

台积电计划在2027年前投产第二座工厂，并预计其先进的2纳米制程产能的30%将来自亚利桑那州工厂。然而，贝森特认为，美国现有的环境法规已对工业发展造成阻碍，降低监管门槛可能是促进建设的关键。

尽管在美国建厂面临挑战，台积电在先进制程技术领域依然保持行业领先地位。据透露，台积电计划在今年下半年量产2纳米制程，其量产曲线预计与N3制程相似。此外，台积电最先进的A14制程技术开发进展顺利，预计于2028年实现量产，并将在2029年推出采用超级电轨的版本，进一步提升性能。

台积电表示，受智能手机和高性能运算（HPC）应用需求推动，2纳米制程技术在量产的前两年，其产品设计定案数量预计将超过3纳米和5纳米制程同期水平。与N3E制程相比，2纳米制程在相同功耗下速度可提升10%至15%，在相同速度下功耗可降低25%至30%，芯片密度增加超过15%。

此外，台积电还规划了后续的N2P制程技术，该技术将在N2制程基础上进一步优化智能手机和HPC应用的性能和功耗表现，计划于2026年下半年量产。按照台积电的技术路线图，未来还将推出采用超级电轨（SPR）的A16制程。相较于N2P制程，A16制程在相同功耗下速度可提高8%至10%，在相同速度下功耗降低15%至20%，芯片密度提升7%至10%，预计将成为HPC产品的理想选择。