据韩媒ChosunBiz援引Omdia报告显示，长鑫存储与长江存储在过去一年多时间内，产能几乎翻倍。

长鑫存储的DRAM产能预计在2025年第3季将达到72万片（以投入晶圆为基准），较2024年同期增长约70%。按年度计算，其DRAM产量将从2024年的162万片提升至2025年的273万片。分析指出，长鑫存储的市占率正快速提升，未来可能接近甚至挑战目前的DRAM市场“三哥”美光，形成四强鼎立的新格局。

与此同时，长江存储在NAND领域的扩产步伐同样迅猛。2024年第1季起，长江存储大幅提升武汉第二工厂的产量，预计到2025年第2季，该厂NAND产量将达到13万片，为2024年同期的两倍多。整体来看，长江存储的NAND产量在同期增长了42%。尽管三星、SK海力士、美光与铠侠等主要厂商因价格下跌持续减产，但长江存储的快速扩产可能引发市场供给过剩。

在技术层面，两家企业正积极向高端产品迈进。长鑫存储计划在2025年底完成第四代高带宽存储器（HBM3）的量产认证，并在未来两年内实现第五代HBM（HBM3E）的量产。长江存储则专注于提升3D NAND的堆叠层数，目前其技术已达到270层，仅次于SK海力士的321层和三星的286层。