据韩媒Money Today、ZDNet Korea等报道，三星电子（Samsung Electronics）技术专家吴正勋（音译）近日在韩国丽水市举行的“2025年半导体工程学会夏季综合学术大会”上表示，现有的埋入式通道阵列晶体管（BCAT）架构在10纳米以下制程中将面临技术极限。这一架构虽然通过缩短通道长度减少漏电并提升存储器单元密度，但在更先进制程中，金属层电阻和散热问题将成为瓶颈。

为应对这一挑战，三星正考虑将FinFET制程引入DRAM领域。FinFET是一种3D晶体管技术，通过三面包裹通道的闸极设计有效控制电流，此前主要应用于系统半导体和晶圆代工领域。吴正勋指出，随着晶圆代工技术从FinFET向环绕式闸极（GAA）演进，DRAM领域也可能遵循类似路径，未来将全面转向FinFET制程。

值得注意的是，FinFET制程将主要用于外围晶体管，即控制DRAM单元周边电路的元件。此外，韩媒分析认为，三星可能在4F Square技术基础上率先导入FinFET制程，为后续3D DRAM的研发铺路。针对晶圆代工技术是否加速融入存储器制程的提问，吴正勋给出了肯定答复，但并未透露具体导入时间表。