近日，深圳平湖实验室在SiC激光剥离技术研究方面取得重要进展。实验室通过国产全自动化激光剥离系统，深入研究激光剥离机理，并系统优化相关工艺参数。据实验室官微透露，到2025年6月，其SiC激光剥离技术将实现单片总损耗≤75μm，单片成本降低约26%，达到国际先进水平。目前，已完成三批次小批量验证，良率达到100%。

SiC单晶材料因其高硬度、极高脆性及高化学稳定性，加工难度极高。目前行业主流采用多线切割技术加工SiC衬底，单片总材料损耗在280-300μm之间，而6英寸SiC衬底成品厚度约为350μm，材料损耗率高达46%。为解决这一问题，深圳平湖实验室聚焦SiC激光剥离新技术的研发，旨在大幅减少碳化硅衬底的切割损耗，从而显著降低生产成本，推动大尺寸SiC衬底的规模化应用。