据韩媒SEDaily报道，LG电子旗下的生产技术研究所（PTI）已启动混合键合设备的开发工作，计划在2028年实现大规模量产。这一技术被视为未来16层及以上堆叠HBM内存制造的关键。

混合键合技术通过无凸块的铜-铜连接方式，缩小了DRAM芯片之间的间距，能够在有限的空间内实现更高层数的堆叠，同时降低发热问题。这使得它成为高性能存储器制造的重要突破方向。

目前，HBM内存混合键合设备领域主要由Besi和应用材料公司主导。然而，韩国的SK海力士和三星电子正寻求关键设备的本地化供应，这为LG电子提供了进入市场的机会。LG电子有望凭借自身技术实力，在这一领域占据一席之地。

此外，LG电子正致力于强化其在AI和B2B业务领域的能力，而混合键合设备的开发正好契合这两大战略目标。未来，LG电子或将在这一新兴市场中扮演重要角色。