韩国半导体设备制造商HPSP近日宣布，成功开发出一款专为混合键合应用优化的退火设备。该设备基于高压氢退火技术，可显著提升铜表面均匀性，满足先进制程需求。据韩媒ET News报道，HPSP计划以此设备进军混合键合市场，目标是在2029年后实现3000亿韩元（约合2.2亿美元）的营收。

混合键合技术被视为下一代半导体的关键制程，尤其在高带宽存储器（HBM）、3D NAND Flash及3D DRAM领域具有广阔应用前景。然而，该技术对铜表面的平整度要求极高，传统化学机械研磨（CMP）难以完全满足需求。HPSP表示，其新型退火设备可通过施加压力改善铜表面均匀性，从而解决这一难题。

目前，HPSP已向全球多家存储器半导体制造商提供示范设备，并正在进行性能测试。该设备基于高压氢运作，可将制程温度降至250~450摄氏度，远低于传统退火设备所需的600~1100摄氏度。三星电子、SK海力士以及台积电均已采用HPSP的高压氢退火设备。

HPSP的营收目标显示了其对混合键合市场的信心。该公司预计，到2026年，混合键合技术将率先应用于HBM，并逐步扩展至其他领域。此外，HPSP还在开发高压湿式氧化膜设备及新型气体退火设备，目标是到2030年实现营收较前一年4~5倍的增长。

随着韩美半导体、韩华Semitech等韩国企业纷纷布局混合键合技术，这一市场的竞争愈发激烈。HPSP的加入，不仅标志着前段制程设备商的入局，也进一步凸显了业界对该领域高速成长的预期。