瑞萨电子（Renesas）在完成对美系氮化镓（GaN）企业Transphorm的收购后，正加速布局宽能隙功率半导体市场。与多数竞争对手聚焦于消费电子快充领域不同，瑞萨将目光投向中高功率应用市场，包括电动车（EV）、工业控制、基础设施、通信网络以及AI服务器等领域。

瑞萨认为，如果能在设计端突破GaN的物理限制，其更快的开关频率将使其在中高功率市场具备与碳化硅（SiC）竞争的能力，并有机会逐步取代SiC的部分应用场景。瑞萨通过收购Transphorm，获得了独特的d-Mode GaN技术专利，这为其在竞争激烈的市场中开辟了新机会。

目前市场上主流的e-Mode GaN技术在性能和长期发展潜力上不如d-Mode技术。d-Mode技术能够更好地满足高功率、高电压场景的需求，但因开发难度较高，市场上大多数竞争对手仍以e-Mode为主。瑞萨凭借其掌握的d-Mode专利技术，试图在高功率应用领域占据一席之地。

从性能角度来看，GaN的开关速度比SiC快一倍甚至更高，能够在高功率场景中实现更高的转换效率，降低功耗成本。此外，GaN的制造过程相对简单，成本控制更具优势。尽管目前GaN的晶圆尺寸尚未全面转向12英寸制程，但瑞萨对其在中高功率市场的成本竞争力充满信心。

瑞萨表示，低功率市场已进入激烈竞争阶段，未来将重点发展Transphorm团队擅长的中高功率产品线。同时，瑞萨正积极向云端AI相关客户推广基于GaN技术的供电解决方案，以扩大市场影响力。在制程方面，瑞萨计划加速从6英寸向8英寸转型，进一步提升产能和成本优势。