数据显示，2025年第一季度DDR4在全球DRAM产量中的占比降至35%，较2023年下降20个百分点，头部企业主导的技术迭代与市场重构正在推进。

据集邦咨询调研数据显示，5月份标准型8GB DDR4芯片环比上涨27%，自3月低点以来累计涨幅已达53%，创下自2017年1月以来的最大单月涨幅纪录。现货市场更为剧烈，部分16Gb DDR4颗粒的价格飙升至6美元，高于同规格DDR5的5.8美元，今年初至今累计涨幅接近90%。

集邦咨询预测，若三季度美国关税政策落地且产能无法及时补充，DDR4价格的涨幅可能进一步扩大。2025年第二季度PC与服务器DDR4价格将继续上涨，预期涨幅分别为13%~18%和18%~23%，而2025年第三季度的预期涨幅可能分别达到18~23%和8~13%。

行业专家普遍认为，DDR4彻底退出市场将需要3至5年时间，在此期间，价格的高位波动可能成为常态。下游企业需要加快构建具备弹性的供应链，并加速技术更新迭代。

随着三星、SK海力士、美光相继加速收缩DDR4产能，全球存储市场形成了约160亿美元的真空地带，这为中国存储企业实现战略突围提供了关键机遇。

南亚科技、华邦电子等台系厂商凭借成熟的技术储备与灵活的市场策略，迅速调整产能布局。南亚科技位于中国台湾桃园的晶圆厂将10nm第二代制程产线全面向DDR4倾斜，8Gb DDR4颗粒月产能已提升至12万片，较2024年增长40%。公司内部人士表示，南亚科技2025年DDR4位元产出占比预计超过30%。

华邦电子则采取“差异化产能扩张”策略，在保留部分NOR Flash产能的同时，将旗下三座工厂中的两座产线转向DDR4生产。其车规级LPDDR4产品线已实现4Gb颗粒量产，工作频率达4266MHz，适配ADAS前置摄像头、智能座舱等场景。

中国内地大厂长鑫存储、兆易创新同样通过规模量产降低单位成本，紫光集团和澜起科技则分别以行业认证和接口技术构建竞争壁垒。以长鑫存储为例，集邦咨询2025年第一季度报告显示，其合肥工厂一期+二期总产能达20万片/月（折合12英寸晶圆），依托自主研发的19nm制程工艺和国内成熟的供应链体系，将单颗DDR4芯片的生产成本极致压缩。

进入2025年，DDR4供需矛盾加剧，三大国际巨头减产和长鑫存储的扩张，这种结构性变化为长鑫存储的价格调整创造了条件，进一步巩固了市场话语权。