英特磊6月25日召开2025年度股东常会，董事长高永中透露，2025年第一季度磷化铟（InP）磊晶产品营收占比已超过50%。其中，PIN（即PD）主要应用于数据中心100G光模块接收端，受益于AI运算需求的持续增长，磷化铟产品有望成为公司未来数年的核心业务。

据高永中介绍，2024年英特磊全年营收为7.17亿元新台币，同比增长8.31%；营业毛利1.13亿元，同比下降27.10%，毛利率为16%；税后亏损1.32亿元。亏损主因是发行可转换公司债后，因股价上涨导致评价损失，同时产品营收未能匹配设备与人力投入时程。不过，震荡期过后已出现明显改善。

展望未来，英特磊将聚焦磷化铟产品线的扩展，包括数据中心PD、光模块驱动电路的HBT，以及特定场景下的APD产品，预计这些产品将随AI运算需求增长而提升。此外，砷化镓（GaAs）pHEMT产品主要客户为欧美日大厂，目前需求稳定。

在研发方面，英特磊正加速开发100G以上的高速VCSEL，目标是抢占AI互连线路中主动式光缆（AOC）市场份额。同时，锑化镓（GaSb）红外磊晶芯片因美国及国际国防需求增加，产能接近满载，公司计划在2025年下半年或2026年新增设备，预计产能提升30%。

针对氮化镓（GaN）业务，英特磊表示，随着二次长晶需求的提升，公司将进一步深化与中国台湾客户的合作模式。未来将提供在地化制程，增强营运弹性。

关于新厂二期扩建计划，英特磊表示，目前正在推进细项蓝图设计及相关许可审核，预计2025年7月动工，2026年完工，未来几年将逐步释放机台产能。相关资本支出部分来自美国联邦《芯片与科学法案》及德州芯片法案的补助，目前已获德州412万美元补助，将按建厂进度分季度请款，联邦补助案仍在审核中。