据报道，深圳平湖实验室近期在功率半导体器件领域取得重要研究成果。其论文《肖特基型p-GaN栅HEMT中双跨导峰与单跨导峰的演变：部分耗尽与完全耗尽p-GaN层的影响》被IEEE ISPSD接收，该会议是功率半导体领域最具影响力的国际学术盛会，被誉为“奥林匹克”级平台。

论文第一作者为刘轩博士，通讯作者为万玉喜和David Zhou。研究围绕肖特基型p-GaN栅HEMT器件展开，首次系统揭示了双跨导峰特性及其与p-GaN层激活状态的演化规律，为商用化器件的栅极结构设计提供了理论依据。

研究团队通过对比实验设计了三组部分耗尽（PDP-GaN）和一组完全耗尽（FDP-GaN）样品，系统分析了p-GaN层Mg激活浓度与跨导（Gm）特性之间的关系。实验结果表明，PDP-GaN器件的跨导曲线呈现双峰特征，而FDP-GaN器件则表现为单峰，其栅极堆叠层可近似等效为MIS栅结构。

进一步研究表明，在PDP-GaN器件中，随着Mg激活浓度降低，第一Gm峰的幅值逐渐减小，而第二Gm峰的幅值位置向高栅压偏移且幅值衰减。通过TCAD仿真验证，双跨导峰行为与栅极堆叠层背靠背结的栅压分配机制密切相关。低栅压下，势垒层电压和沟道电压主导第一Gm峰；高栅压下，肖特基结电压则主导第二Gm峰。

图源：平湖实验室