据“先为科技”官微消息，6月16日，无锡先为科技有限公司首台GaN MOCVD BrillMO外延设备正式发往国内一家领先的化合物半导体企业。

此次发货的GaN MOCVD BrillMO外延设备，凭借独特的温场和流场设计，能够实现高质量的成膜效果，为GaN外延制造提供可靠保障。同时，该设备在产能和成本控制方面表现优异，可大幅提升生产效率，降低使用成本，为客户提供更具竞争力的解决方案。值得一提的是，该设备通过正向自主研发，拥有完全自主知识产权，有力推动了化合物半导体外延设备的国产化进程。